考点分析
- 双端输出差模增益Avd
- 差模输入电阻Rid
- 输出电阻Ro
- 单端输出差模增益Avd1
- 共模增益Avc1
- 共模抑制比
掌握：镜像电流源计算
概念：模拟放大电路的一些参数（如何调整阻值以消除偏置电流）
差分放大电路
这里利用电路的对称性，设计出的差分放大电路能够有效抑制零点漂移。
关键思路为（以bjt为例）：
理想恒流源的动态电阻ro趋于无穷，差模输入时由于电路对称性，源极所接动态电阻ro相当于短接，此时双入双出的增益为-βRL'/rbe；而共模输入中动态电阻ro存在，利用源极偏置电路的增益公式，可知此时增益极小。则共模抑制比在理想情况下趋于∞。
补充：关于共模增益的计算
将对称电路分解为单边，动态电阻ro视为两个2ro电阻并联
公式为：
-βRL’/(rbe+(β+1)2ro
疑问：为什么输出电阻为2*Rd
直流偏置技术
回忆FET与BJT放大器件在饱和/放大区的特征图像，电流是近似水平线的。因此可以利用这一特性，改进获得稳定的直流电源。
典例
当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2= 150mV，则vid= mV，vic= mV。
关键点：考察vid(difference)差模输入电压与vic(common)共模输入电压的概念
解析： 差模输入电压为两个输入信号的差值，共模输入电压为两个输入电压的算术平均值，因此差模输入vid = vi1 – vi2=250-150=100mV；共模输入vic=(vi1+ vi2)/2=(250+150)/2=200mV.
在电路图示的源极耦合差分式放大电路中，VDD = VSS =5V，IO = 0.2mA，电流源输出电阻ro=100kW，Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW，FET的Kn=1.5m
，且ro >>rds >>Rd，那么T2漏极单端输出时的差模电压增益Avd2 =________，共模抑制比KCMR =________。
关键点：取出单端输出为T2漏极，则增益应为–得＋值
思路：通过直流源Io得到静态工作点参数，算出gm值；代入增益计算公式分别得出差模与共模增益
解析： T2漏极单端输出时的差模电压增益Avd2 为共源极电路增益的一半，而共源极电路的增益为-gm*Rd，恒流源电流为0.2mA,因此MOSFET漏极电流为这个电流的一半，从而ID1=ID2=0.1mA，从而可以计算出管子的gm =2* (Kn*ID1)^(1/2)=0.77mS,
因此共源极电路增益为：-0.77*10=-7.7，而差分电路从T2管单端输出增益为正，且增益为这个共源极电路增益的一半，也就是3.85
电路的共模增益为：-gmRd/(1+gm*2ro),这里的ro表示恒流源的内阻，ro=100kΩ，可以得到共模增益为Avc=-0.0497，因此共模抑制比为：3.85/0.0497=77。
图示电路中，已知运放741的IIO＝20nA，IIB＝100nA，VIO＝5mV，且R2＝R1//Rf ，那么电路的输出直流误差电压VO =________。
关键点：Iio输入失调电流； Iib输入偏置电流；Vio输入失调电压；当它们较大且电路参数设计不合理时，可能导致输出进入饱和区而使电路无法正常工作。
思路：这里通过调整 R2= R1//Rf ，消除偏置电流IIB引起的误差，则只需计算Iib输入偏置电流与Vio输入失调电压的影响结果。
解析： VO＝(1+Rf/R1)VIO+Rf*IIO＝507mV
全功率带宽BWP
运放的单位增益带宽fT＝1MHz，转换速率SR＝1V/μs，当运放构成反相放大电路时的闭环增益Av＝-10，则小信号闭环带宽fH＝______；当输出电压不失真最大幅度Vom＝10V时，那么全功率带宽BWP＝______。
关键点：BWP为运放输出最大峰值电压时允许的最高频率
解析： 由于增益带宽积为常数且等于单位增益带宽，即AvfH =fT，那么fH =fT/Av=1MHz/10=100kHz；
全功率带宽BWP＝SR/(2*pi*Vom) =1/(2*pi*10)=15.9kHz。
在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kW，Rc1＝Rc2＝10kW，BJT的β＝200，VBE＝0.7V。当vi1＝vi2＝0时，VCE1＝VCE2＝________；由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1»________，共模抑制比KCMR »________。
关键点：根据直流时，T1基极输入为0，相当于接地，计算出c1点点位；根据Vbeq计算出Vce。
解析： D、公共支路的恒流源电流IO＝1mA，因此T1和T2的发射极电流为IE1=IE2=0.5mA，则VC1＝VC2＝10V-IC1*Rc1=10V-0.5*10k=5V，而发射极电压为VE=0-VBE=-0.7V，则VCE1＝VCE2＝VC1-VE＝5V-(-0.7V)=5.7V。
由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1为单管共射增益的一半，单管共射电压增益为-βRc/rbe，而rbe=200+(1+β)*26mV/0.5mA=200+201*52=10.652k，因此单管增益为：
-200*10k/10.652k= -187，则由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1为-187/2=-93.5；
共模增益为：Avc=-βRc/[rbe+2(1+β)ro)]=-0.2，因此共模抑制比为：93.5/0.2=467.5。
电流源电路如图所示，VDD = VSS =5V，T1～T3的VTN = 2V，l = 0，而Kn1 = Kn3 = 0.25 
，Kn2=0.10
，则IREF = mA和IO = mA。
解析： A、从正电源VDD到负电源VSS列写KVL方程有：VDD+VSS=VGS3+VGS1，因此VGS3=VGS1=VDD，三极管工作于饱和区，因此，ID3=ID1=Kn(VGS-VTN)exp(2)=0.25(5-2)exp(2)=2.25mA=IREF。
IO=ID2=Kn2(VGS-VTN)exp(2)=0.1*(5-2)exp(2)=0.9mA