考点分析 大题：整个直流稳压电路，但基本不考察变压部分，整流、滤波部分考察二极管与电容的方向，以及电容大小对品质影响；稳压部分涉及计算，利用三端稳压元件型号代表的输出电压78(9)xx求取Vo，且给定元件所需最小压降求得上级最小电压 78系列为正电压；79系列为负电压 xx代表输出电压幅值 三端线性稳压元件具有最小压差（Vi-Vo）以保证元件工作在线性放大区间。 参考资料 硬木课堂：线性稳压器 – 原理与实测 仿真 线性串联式稳压电路 部分 变压器 查询变压器在discrete库中，在下图路径找到。 The part/device cannot be simulated. No PSpiceTemplate found on T1 但没有pspice仿真模型，因此直接使用变压之后的值做为电源值进行仿真。 整流 此时根据傅里叶级数展开，直流电压 滤波 增大电容值，负载电压趋于平滑，一般取： 稳压 型号范围D1N4728-64，但没有对应的pspice仿真模型，通过文件查找，发现D1N750是zener diode(齐纳二极管），进行测试使用 并联稳压 模型的实际参数是Vz=4.7V，Izm=20mA，符合测试结果 串联线性稳压 首先使用电压源提供偏置VOFF=24V, VAMP=2V交流电压测试 整体 将稳压电路与滤波电路整合得到结果 此时，Vo=2Vz=2*4.7=9.4V,放大上图可见： 分析 稳压系数 当输入电压变化+-10%时，负载两端电压变化结果 当温度由室温（25℃）增至50℃时，电压取直流偏置VOFF=24V，负载电压变化情况如图 例题 并联稳压电路 电路特性 仿真 输入电压VI与输出电压Vo 输入电压VI与电阻R两端电压
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双极结型三极管及其放大电路
例题 基础知识 当温度升高时，BJT集电极电流______ 温度升高,物体内部分子运动加剧,内能增大,自由电子和空穴增加,电流增大 用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_______，该管是________型。 发射结压降的典型值为0.7伏（硅管）或0.2伏（锗管） 失真 NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_______，此时应该_______基极电流。 NPN型BJT正常放大时，集电极是三个电极中电位最高的。共射极放大电路信号由集电极输出。当交流电压输出波形上半周失真时，意味着集电极电位已经不能再继续升高，集电极上电阻的压降几乎为零，也就是集电极电流已经过小，所以BJT处于截止状态，为截止失真。增加基极电流，使集电极电流增大，可以消除失真。 电路如图(a)所示，若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的________元件，将其________。 A.Rb，调大 B.Rc，调小 C.Rb，调小2.00/2.00 D.Cb2，调大 A、调大失真会更严重。 B、会改变输出电阻。 C、图示电路为PNP管构成的共发射极电路，-12V是电路中最低电位点。失真波形是底部失真，也就是集电极电位不能再继续降低了，意味着Rc上压降几乎为零了，即集电极电流接近为零，因此为截止失真。应该调小Rb，以增大集电极电流。且调Rb基本不改变电路的输出电阻。 D、对静态工作点无影响，也就不能改善失真。 共射极 射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为________。 首先求出基极分压的电压值，VB=20*16/(20+60)=4V,用这个电压减去0.7V，得到发射极电位为VE= 4V-0.7V=3.3V，用这个电压除以发射极电阻，就得到发射极电流为IE=VE/RE=3.3V/2k=1.65mA; 因此可得小信号模型的电阻rbe=200+（1+β）*26/1.65 = 1161Ω, 由小信号等效模型，可得电压增益为：Av= -β*(Rc//RL)/rbe= -60*2/1.161=-103。 共集电极 在图示电路中，已知Rb＝260kW，Re＝RL＝5.1kW，Rsi＝500W，VEE＝12V，b＝50，|VBE|＝0.2V，则电路的输入电阻约为________，输出电阻约为________。 图示电路构成了共集电极电路，首先利用直流通路求解静态工作点， IB = VEE/[Rb+(1+β)Re] = 23μA，IC =βIB=1.15mA； rbe = 200+（1+β）*26/1.15 = 1.35kΩ, 由小信号模型等效电路，可知Ri=Rb//[rbe+(1+β)(Re//RL)] = 87.3kΩ, Ro=Re//[(rbe+Rb//Rsi)/(1+β)] = 36Ω。 共基极 共基极电路如图所示。设b＝100，Rs＝0，RL＝¥，则电路的电压增益约为_______，输入电阻约为________，输出电阻约为________。 图示电路，可以得到恒流源的电流就是发射极的直流偏置电流，因此 rbe = 200+（1+β）*26/1.01= 2.8kΩ, Av= β*(Rc//RL)/rbe=268 Ri=rbe/(1+β)=28Ω; Ro=Rc=7.5kΩ。 复合管 复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是 ，3端是 。 两个管子构成复合管时，管子的类型由前面的管子决定，因此，图中复合管的类型为PNP管，1是基极，2是发射极（电流流进），3是集电极。 BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。 √ BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。 √
功率放大电路
概念 目标 获得失真较小的输出功率 问题 输出功率尽可能大，电压与电流都有足够大的输出幅度 效率高：有用信号与电源供给功率比（乙类效率最高） 非线性失真小 散热 题目 乙类互补对称功率放大电路如图所示，采用双电源供电，若忽略BJT的饱和压降，则功率管承受的最大反向电压为 。 由于两管处于轮流导通状态，所以当一管导通接近饱和时，另一个处于截止状态的三极管承受了正负两个电源的总压差即VCC-(-VCC)=2VCC. 为了克服功率放大电路的交越失真，图中(a)电路更好。 (×)图示电路中，均可以在一定程度上消除交越失真，但是图（a）所示的电路，两个三极管基极间的电阻对信号会产生压降，导致输出幅值减小；而图（b）电路中的二极管可以等效为恒压降模型，两个二极管相当于两个0.7V左右电压源，它们对交流信号而言可以看作短路，所以可以保证两个三极管基极间的信号电压一致，对信号放大不产生影响。另外，图（a）电阻上的电压会受到电源电压波动的影响，从而改变三极管的静态工作点；而图（b）电路中两个二级管的导通压降受电源电压波动影响很小，从而保持三极管静态工作点稳定。 功率管2N6078室温下的参数为，VCE(max)=250V，IC(max)=7A，PC(max)=45W，若电路工作时VCE＝20V，则IC的最大电流为 。 在实际工作时，要根据工作条件核算极限参数带来的约束，因为PC=VCE*IC，所以IC=45W/20V=2.25A，小于IC(max)，因此IC的最大电流为2.25A。 微助教 b d b f n（没有负电源
场效应管及其放大电路
三种组态 共源极 小信号模型 例题 已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_______，电压增益为_______，输入电阻为_______。 将电路中所有电容置为短路，所有的直流源置零（电压源短路，电流源开路），画出电路的交流通路，可以判断电路为带有源极电阻R1的共源极电路，然后将MOSFET替换为对应的小信号模型，可得答案为b图。注意，R1没有被电容交流短路。由小信号模型的等效电路进行交流分析，可得电路的电压增益为：(-gm*Rd)/(1+gm*R1)=(-1*10)/(1+1*2) = -10/3= -3.3；由小信号模型等效电路可知，电路的输入电阻为Ri=Rg3+（Rg1//Rg2）=2000k+300k//100k = 2000k+75k=2075k. 共漏极 小信号模型 例题 电路中恒流源电流即为MOSFET的漏极电流，因此漏极电流ID=1mA，由gm为2乘以导电因子与漏极电流乘积的开平方，可得gm=2ms;图示电路为源极跟随器，电压增益大于零，小于1但接近为1，且由小信号模型等效电路，可得增益为：Av=gm*RL/(1+gm*RL) = 0.89;电路的输出电阻Ro = 1/gm = 500Ω=0.5kΩ. 增益 输入电阻 上图可知，Ri=Rg 输出电阻 共栅极 小信号模型 例题 图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5，λ＝0。那么电路的输入电阻约为________，源电压增益Aυs＝υo/υs =_________，输出电阻约为________。 图示电路中，恒流源电流即为MOSFET的漏极电流，因此漏极电流ID=0.5mA，由gm为2乘以导电因子与漏极电流乘积的开平方，可得gm=1ms;有小信号模型等效电路可知，电路的输入电阻为Ri = 1/gm=1/1ms=1kΩ.电路的电压增益为：Av=gmRd=1*10=10，源电压增益为：Av*Ri/(Ri+Rs)=10*1/(1+1)=5;电路的输出电阻即为漏极电阻Rd，因此为10kΩ. 增益 电压 电流 输入电阻 输出电阻 MOOC 判断 MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。 （×）MOSFET是有源器件，MOSFET放大电路在输入信号控制下，将直流电源的功率转换为有效的输出功率，所以不管是哪种组态的放大电路，都有功率放大作用。 增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。 （×）P沟道增强型必须小于0 场效应管仅靠一种载流子导电。 N沟道场效应管的漏极电流由电子的漂移运动形成。 （√）N沟道场效应管沟道中只有自由电子，P沟道场效应管沟道中只有空穴，因此场效应管也称为单极性器件。